רדיוס אטומי: הבדלים בין גרסאות
מתוך Restoeebs Wiki
| שורה 1: | שורה 1: | ||
= רדיוס אטומי = | = רדיוס אטומי = | ||
==הגדרה== | ==הגדרה== | ||
| − | - המרחק בין מרכז הגרעין לבין קצה [[הרמה האלקטרונית]] האחרונה. | + | - המרחק בין מרכז הגרעין לבין קצה [[הרמה האלקטרונית]] האחרונה.בפועל מודדים רדיוס אטומי כחצי המרחק בין גרעיני אטומים זהים במצב המוצק. |
== גורמים המשפיעים == | == גורמים המשפיעים == | ||
| − | 1. מספר הרמות האלקטרוניות | + | 1. מספר הרמות האלקטרוניות (לכן הרדיוס האטומי עולה עם העלייה במספר הרמות האלקטרוניות כי המרחק בין הגרעין לבין הרמה האחרונה גדל אף הוא) |
| − | 2. מספר ה[[פרוטונים]] ב[[גרעין]]. | + | 2. מספר ה[[פרוטונים]] ב[[גרעין]].(לכן הרדיוס האטומי קטן עם העלייה במספר הפרוטונים כי המשיכה לגרעין גדלה וכתוצאה- המרחק בין הגרעין לבין הרמה האחרונה קטן) |
==היבטים פדגוגיים== | ==היבטים פדגוגיים== | ||
גרסה מתאריך 20:47, 12 בנובמבר 2009
רדיוס אטומי
הגדרה
- המרחק בין מרכז הגרעין לבין קצה הרמה האלקטרונית האחרונה.בפועל מודדים רדיוס אטומי כחצי המרחק בין גרעיני אטומים זהים במצב המוצק.
גורמים המשפיעים
1. מספר הרמות האלקטרוניות (לכן הרדיוס האטומי עולה עם העלייה במספר הרמות האלקטרוניות כי המרחק בין הגרעין לבין הרמה האחרונה גדל אף הוא) 2. מספר הפרוטונים בגרעין.(לכן הרדיוס האטומי קטן עם העלייה במספר הפרוטונים כי המשיכה לגרעין גדלה וכתוצאה- המרחק בין הגרעין לבין הרמה האחרונה קטן)
